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삼성전자가 현존하는 최고 속도의 D램보다 7배 이상 빠른 차세대 ‘4기가바이트(GB) HBM2(고대역폭 메모리ㆍHigh Bandwidth Memory)D램’을 

본격 양산한다고 19일 밝혔다.

지난 10월에도 ‘128GB DDR4(Double Data Rate 4) D램 모듈’을 양산하며 초고속 메모리 시장을 확대한 삼성전자는 

 달여 만에 2세대 HBM D램 양산에 성공했다.

이번 4GB D램은 삼성전자의 최신 20나노 공정을 적용한 8기가비트(Gb) HBM2 D램 4개로 이뤄져 있다.

1개의 버퍼칩 위에 4개의 코어칩을 쌓고 각 칩을 TSV 접합볼(Bumpㆍ범프)로 연결한 구조다.

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TSV 란 D램 칩을 일반 종이 두께의 절반보다 얇게 깎은 다음 수백 개의 미세한 구멍을 뚫어 상단 칩과 하단 칩의 

구멍을 수직 관통하는 전극을 연결한 첨단 패키징 기술이라는데 정말 메모리카드도 이제는 초고속이네요~~